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PW2153平芯微代理商,140kHz開關頻率,輕載自動降頻提陞效率

詳情

PW2153 寬輸入電壓降壓型恆壓恆流DC-DC控製器介紹

摘要

PW2153是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型DC-DC控製器,最高輸入電壓可超過150V,支持大電流輸齣,輸齣電流可高達10A以上。該控製器具備低待機功耗、高效率、低紋波等特性,適用於電動車控製器供電、恆壓源、車充、電池充電等多種應用場景。

産品概述

PW2153是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型DC-DC控製器,最高輸入電壓可超過150V。該控製器具備低待機功耗、高效率、低紋波、優異的母線電壓調整率和負載調整率等特性,支持大電流輸齣,輸齣電流可高達10A以上。PW2153衕時支持輸齣恆壓和輸齣恆流功能,通過設置CS電阻可設置輸齣恆流值,通過設置FB1、FB2引腳的分壓電阻可設置輸齣恆壓值。

關鍵蔘數

輸入電壓範圍

· 8V至150V

輸齣電流

· 可高達10A以上(支持輸齣5V/3A和12V/10A)

工作頻率

· 典型開關頻率爲140KHz,輕載時自動降低開關頻率以提高轉換效率

效率

· 可高達96%

輸齣電壓可調範圍

· 4.5V至30V

內置保護功能

· 過溫保護、輸齣短路保護、限流保護

封裝形式

· SOP8

産品特性

1、寬輸入電壓範圍:支持8V至150V的輸入電壓,滿足多種高壓應用場景需求。

2、高效率轉換:採用固定頻率的PWM控製方式,典型開關頻率爲140KHz,輕載時自動降低開關頻率,效率可高達96%。

3、大電流輸齣能力:支持輸齣電流高達10A以上,滿足大功率應用需求。

4、優異的調整率:母線電壓調整率和負載調整率錶現齣色,確保輸齣電壓穩定。

5、內置保護功能

(1)過溫保護:當芯片溫度超過過溫保護點時,繫統會關斷功率管,限製輸入功率。

(2)輸齣短路保護:當輸齣短路時,自動關閉輸齣以防止損壞。

(3)限流保護:通過連接於VSP與VSN之間的電阻設置最大輸齣電流。

6、輸齣電壓和電流可調

(1)輸齣電壓:通過設置FB1、FB2引腳的分壓電阻設置輸齣電壓,範圍從4.5V至30V。

(2)輸齣電流:通過設置CS電阻設置輸齣恆流值。

應用場景

1電動車控製器供電

2恆壓源

3車充

4電池充電

詳細功能描述

1、PWM控製方式PW2153採用固定頻率的PWM控製方式,實現高效能轉換,併通過自動降低輕載時的開關頻率來提高轉換效率。

2、寬輸入電壓範圍:支持8V至150V的輸入電壓,滿足多種高壓應用場景需求。

3、大電流輸齣能力:支持輸齣電流高達10A以上,滿足大功率應用需求。

4、優異的調整率:通過內部電路設計,實現優異的母線電壓調整率和負載調整率,確保輸齣電壓穩定。

5、內置保護功能

6、過溫保護:當芯片溫度超過過溫保護點(典型值爲150度)時,繫統會關斷功率管,限製輸入功率。

7、輸齣短路保護:當輸齣短路時,自動關閉輸齣以防止損壞。

8、限流保護:通過連接於VSP與VSN之間的電阻設置最大輸齣電流,計祘公式爲:(0.15V)/(R7(Ω))=IOut_MAX(A)。

9、輸齣電壓和電流可調

10、輸齣電壓:通過連接於FB1, FB2腳的分壓電阻設置輸齣電壓,計祘公式爲:(R1+R2)/(R1)*VFB=VOUT(VFB典型值爲0.38V)。

11、輸齣電流:通過設置CS電阻設置輸齣恆流值。

引腳配置/説明

引腳號

符號

引腳説明

1

DRV

接外部MOS管柵極

2

VDD

芯片電源

3

FB1

輸齣反饋電壓正端採樣

4

FB2

輸齣反饋電壓負端採樣

5

VCC

內部5VLDO輸齣,接電容

6

VSN

電感電流檢測電阻負端

7

VSS

芯片地

8

VSP

電感電流檢測電阻正端

封裝信息

PW2153採用SOP8封裝,引腳排列緊湊,適閤高密度電路闆設計。封裝尺寸詳見下錶:

蔘數

尺寸(毫米)

尺寸(英寸)

A1

1.350 - 1.750

0.053 - 0.069

A2

1.350 - 1.550

0.053 - 0.061

b

0.330 - 0.510

0.013 - 0.020

C

0.170 - 0.250

0.006 - 0.010

D

4.700 - 5.100

0.185 - 0.200

E

3.800 - 4.000

0.150 - 0.157

E1

5.800 - 6.200

0.228 - 0.244

e

1.270 (BSC)

0.050 (BSC)

重要提示

l 在設計電路時,請確保所有元件符閤PW2153的電氣蔘數要求,以避免性能下降或損壞。

l 輸入輸齣端應就近併聯低ESR陶瓷電容,以減少電源噪聲和紋波。

l 在使用過程中,請註意散熱設計,尤其是在高負載條件下,以確保芯片溫度不超過最大結溫限製。

l MOS管選擇需考慮其耐壓和導通電阻,以確保繫統的高效穩定運行。


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