D00HAI,D00HAi,D00HAj,D00HAK,D00HAk丝印过流保护芯片IC
- 2026-07-25 11:49:00
- 技术管理员 原创
- 23
2A限流 开关
一般描述
该PW1502A是一款经济高效、低电压、单通道P-MOSFET负载开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。该开关的工作输入电压范围为 2.4V 至 5.5V，非常适合 3V 和 5V 系统。该开关的低RDS（ON）为80mΩ，符合USB压降要求。
该PW1502A还具有热过载保护功能，从而限制了功耗和结温。电流限制阈值通过从IADJ到地的电阻器进行编程。在导通状态下，静态电源电流典型值为 15μA。在关断状态下，电源电流降至1μA以下。该PW1502A采用SOT23-5封装
特征
l 符合USB规范
l 集成 80mΩ 功率 MOSFET
l 低电源电流
15μA 典型值（在导通状态）
关断状态时为 1μA（典型值）
l 宽输入电压范围：2.4V to 5.5V
l 快速瞬态响应：<2μs
l 反向电流阻断
l 热关断保护
l 热插拔应用（软启动）
l 采用 5 引脚 SOT23-5 封装
l PW1555A（3.3V5A、5V5A、12V5A）;
PW1558 （ 3V~20V 5.8A）;
PW1605 （4V~48V 5A）;
PW1503 （2.5V~6V 3A）;
PW1515 (3.5V~6V 2A)同类型产品
应用
l USB 总线/自供电集线器
l USB 外设
l 笔记本电脑
l 电池充电器电路
l 个人通信设备
引脚分配/说明
引脚名称
引脚编号
描述
VOUT
1
电源开关输出
GND
2
接地连接;从外部连接到电源 PAD
IADJ
3
用于IADJ限流阈值的外部电阻器
EN
4
使能输入，逻辑高电平接通电源开关
VIN
5
输入电压;将 10Uf 或更大的陶瓷电容器从VIN连接到GND，尽可能靠近 IC
产品
Absolute Maximum Ratings
(note
1
,
2
)
项目
值
单位
输入电源电压
-0.3 to 7
V
在电压中
-0.3 to (VIN+0.3V)
V
IADJ电压
-0.3 to (VIN+0.3V)
V
功耗
0
.4
W
结温
150
°C
工作温度范围
-40 to 85
°C
存储温度范围
-65 to 15
0
°C
引线温度（焊接，10秒）
2
60
°C
ESD 人体模型 （HBM）
2000
V
ESD MM （机器模式）
2
00
V
热阻
θJA
250
°
C/W
热阻
θJC
1
30
°
C/W
Note :Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the life of a device may be impaired.
电气特性
（VIN=5V，TA =-40°C 至 85°C），除非另有说明。
参数
象征
条件
MINI
类型
M
AX
单位
输入电压范围
VIN
2.4
5.5
V
导通电阻
RDS(ON)
VIN=5V
80
100
mΩ
VIN=3V
90
110
mΩ
静态电流
IQ
VIN=5V,EN=Active,No load
15
25
μA
关断电源电流
IQ(OFF)
VIN=5.5V,EN=Inactive
1
μA
关断开关电流
IQ(SW_OFF)
VIN=5.5V,EN=Inactive
1
μA
欠压锁定
VUVLO
VIN Increasing
1.8
2.4
V
欠压闭锁滞后
ΔVUVLO
VIN decreasing
0.1
V
电流限制阈值
ILIM
RADJ=6.8kΩ
1
A
一个阈值，逻辑低电平
VIL
VIN=2.5V to 5.5V
0.8
V
EN阈值，逻辑高电平
VIH
VIN=2.5V to 5.5V
2
V
输出漏电流
ILEAK
EN=Inactive,RLOAD=0Ω
0.5
10
μA
电流限制响应时间
TRESP
VIN=5V
1
μs
热关断保护
TSD
150
°C
热关断滞后
ΔTSD
20
°C
注
： 25°C下100%生产测试。 通过设计和表征保证整个温度范围内的规格
应用
资料
该PW1502A是一款单通道限流负载开关，旨在通过将电流限制到预设水平来防止短路和过流事件。该器件针对自供电和总线供电的通用串行总线 （USB） 应用进行了优化。该开关的低 RDS（ON）
为 80mΩ，满足 USB 压降要求;标志输出可用于向本地 USB 控制器指示故障情况
输入和输出
VIN（输入）是连接内部电路的电源和MOSFET的电源。VOUT（输出）是MOSFET的漏极。在典型应用中，电流通过开关从VIN流向VOUT至负载。如果 VOUT 大于 VIN，则电流将从 VOUT 流向 VIN因为MOSFET在导通时是双向的。该PW1502A的反向电流阻断功能可防止器件在禁用时电流从 VOUT 流向 VIN。
热插拔应用的软启动
为了消除热插拔事件期间因浪涌电流过大而导致的上游电压压降，
“软启动”功能有效地将电源与超大容性负载隔离开来，满足USB电压压降要求。
输入电容
输入电容CIN可保护电源免受连接到PW1502A的负载产生的电流瞬变的影响。当PW1502A输出突然短路时，在限流电路激活之前，仅受MOSFET的R DS（ON）
限制的大电流将流动不到2μs。在这种情况下，中等尺寸的CIN
将大大降低电源和PW1502A上游其他电路的电压瞬态。该PW1502A极快的短路响应时间降低了对 C IN 的尺寸要求。 CIN 应尽可能靠近器件 VIN 引脚。陶瓷电容器、钽电容器或铝电解电容器适用于CIN。C IN没有特定的电容ESR要求。然而，对于更高的电流操作，建议将陶瓷电容器用于 CIN，因为它们比钽电容器具有固有的能力，可以承受来自低阻抗源（如便携式设备中的电池）的输入电流浪涌。
输出电容
强烈建议在 VOUT 和 GND 之间使用低 ESR 150μF 铝电解或钽，以满足集线器 VBUS 中 330mV 的最大压降要求（根据 USB 2.0，每个集线器的输出端口必须具有至少 120μF 的低 ESR 大容量电容）。应使用标准旁路方法，以最小化旁路电容器和下游连接器之间的电感和电阻，以减少下游电缆热插入瞬变时引起的EMI和去耦电压下降。建议将铁氧体磁珠与VBUS、接地线和电源连接器引脚上的0.1μF旁路电容串联，用于EMI和ESD保护。旁路电容本身应具有低耗散因数，以允许在较高频率下去耦。
散热注意事项
由于该PW1502A具有内部电流限制和过温保护，因此结温很少成为问题。但是，如果应用在炎热环境中需要大电流，则温度（而不是电流限制）可能是主要的调节条件。在这些应用中，必须计算出没有过热风险的最大可用电流。功率耗散可以根据开关的输出电流和RDS（ON）计算，如下所示。
虽然这些器件的额定输出电流为 2A（最大），但应用可能会根据总功耗和环境温度来限制输出电流的大小。任何IADJ条件的最终工作结温都可以通过以下热方程来估计：
其中TJ（MAX）是最高工作结温150°C，TA 是环境温度 θJA 是环境热阻的结点。与环境热阻θJA的结点取决于布局。对于 SOT23-5 和 TSOT23-5 封装，热阻
θJA
为 250°C/W。 SOT23-5 和 TSOT23-5 封装在 T A = 25°C 时的最大功耗为 0.4W
电流限制阈值设置
电流限制阈值通过一个电阻器从IADJ到标记为RADJ的接地进行编程。可以通过以下公式来估计：
ILMI
（
A）= 6.8KΩ / RADJ （KΩ）
如下表所示。
ILMI(mA)
RADJ(kΩ )
600
11.3
800
8.45
1000
6.8
1500
4.53
2000
3.4
