| 联系人: | 郑先生 | 
|---|---|
| 电话: | 13528458039 | 
| Email: | zqf@kkmicro.com | 
| QQ: | 2867714804 | 
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| 地址: | 深圳市南山区蛇口街道渔一社区后海大道1021号BC座B303A16 | 
代理PW3428 场效应管,原装现货,技术支援
详情
一般说明
PW3428采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
                    特征
                    
VDS:30V
                  
编号:28A
RDS(开):典型15mΩ@VGS=10V
提供8针DFN3*3封装
代理商:深圳市夸克微科技 郑先生 :13528458039 QQ 2867714804
                    绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)
                  
| 
                           参数  | 
                        
                           符号  | 
                        
                           评级  | 
                        
                           单位  | 
                      
| 
                           漏源极电压  | 
                        
                           VDS  | 
                        
                           30  | 
                        
                           V  | 
                      
| 
                           栅源电压  | 
                        
                           VGS  | 
                        
                           ±20  | 
                        
                           V  | 
                      
| 
                           持续漏电流, VGS@10V (注 1 )  | 
                        
                           ID@TC=25℃  | 
                        
                           28  | 
                        
                           A  | 
                      
| 
                           持续漏电流, VGS@10V (注 1 )  | 
                        
                           ID@TC=100℃  | 
                        
                           12  | 
                        
                           A  | 
                      
| 
                           脉冲漏电流(注 2 )  | 
                        
                           IDM  | 
                        
                           50  | 
                        
                           A  | 
                      
| 
                           总功耗(注 3 )  | 
                        
                           PD @TC=25℃  | 
                        
                           20.8  | 
                        
                           W  | 
                      
| 
                           总功耗(注 3 )  | 
                        
                           PD @TA=25℃  | 
                        
                           2  | 
                        
                           W  | 
                      
| 
                           储存温度范围  | 
                        
                           TSTG  | 
                        
                           -55 至 150  | 
                        
                           ℃  | 
                      
| 
                           工作结温范围  | 
                        
                           TJ  | 
                        
                           -55 至 155  | 
                        
                           ℃  | 
                      
| 
                           单脉冲雪崩能量(注 4 )  | 
                        
                           EAS  | 
                        
                           8.1  | 
                        
                           mJ  | 
                      
| 
                           雪崩电流  | 
                        
                           IAS  | 
                        
                           12.7  | 
                        
                           A  | 
                      
| 
                           热电阻接线盒(注 1 )  | 
                        
                           RθJC  | 
                        
                           3.8  | 
                        
                           ℃/W  | 
                      
| 
                           热电阻结环境(注 1 )  | 
                        
                           RθJA  | 
                        
                           62  | 
                        
                           ℃/W  | 
                      
                    
                  
                    
                  
                    注意
1、 数据通过表面安装在1英寸2 FR-4板上的2OZ铜进行测试。
                  
2、 测试数据由脉冲,脉冲宽度。EAS数据显示最大额定值。
3、 其功耗受结温150℃的限制
4、 试验条件为V≤300us,占空比DD=25≤V,V 2%GS=10V,L=0.1mH,IAS=12.7A
5、 数据理论上与ID和IDM相同,在实际应用中,应受到总功耗的限制
